上海大学与企业联合团队近期在二维半导体领域取得重大进展。该公司已成功开发出迄今为止漏电流最低的二维半导体晶体管，并基于其开发出新型存储芯片。芯片的核心部件晶体管就像控制电流的“智能水龙头”。随着传统硅基芯片的发展，晶体管的尺寸已逼近物理极限，漏电的“水龙头关不上”问题日益突出，不仅增加了设备功耗，也限制了人工智能等领域算力的提升。尤其是芯片的“存储核心”动态随机存取存储器（DRAM），必须频繁充电和刷新以维持数据，是重要的能耗来源。二维半导体示意图电感晶体管。为了应对这一行业挑战，复旦大学与上海元基微技术、长兴水库等合作组成的研究团队，实现了前所未有的超低漏电流，相当于每9.15秒仅漏出一个电子。在此基础上构建的新型 DRAM 内存芯片在零保留电压下实现了超过 8500 秒的超长数据保留时间。它还兼顾了高速读/写和大容量存储特性，在不影响性能的情况下显着降低功耗。这项技术的潜在应用非常广泛。在移动设备、物联网终端等场景中，这款存储芯片可以显着延长电池的使用寿命，在人工智能计算中心，还可以显着降低整体功耗。更重要的是，这种独特的优势为内存通信提供了硬件支持。架构，解决数据传输低效的“内存墙”问题。目前，该技术正在加速与现有半导体工艺的兼容和适配，为产业化铺平道路。元基微科技是一家成立于上海的二维半导体初创公司，依托复旦大学十多年的科研积累，开创了从材料制备到器件制造的完整工艺链。此次突破展示了上海在二维半导体领域成熟的“产学研用”联合创新生态系统，从高校自主技术攻关，到本土企业带动工程转化，再到大企业联合验证，形成闭环创新体系。原标题：《9.15秒仅泄漏一个电子，上海二维半导体芯片带来新突破》专栏编辑：李晔本篇作者文章：解放日报查锐 题图来源：尚泽基 题图
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